在选择电源钳位二极管时，必须保证在高温下，二极管的漏电流或反向电流IR较低。如果反向电流太高，就成为驱动器电源不必要的负载，反向电流也会造成关断状态的功率器件栅极电压的被抬高。这时，如果没有RGE，驱动级对地具有高阻抗，甚至接近或超过功率器件的开通阀值电压，在一些不利条件下，功率半导体会由于这样的原因出现寄生开通。
与PN结二极管相比，肖特基二极管的正向电压很低，因此非常适合用于电源钳位。而选用PN结二极管后钳位电压至少为17V，特别是在BJT输出的栅极驱动中，图2a。当肖特基二极管用于MOSFET推挽输出级时，有可能把栅极电压UGE钳在+15V，图2b。
相比于PN结二极管，肖特基二极管的缺点在于它们在高温时反向漏电流更高。因此必须根据其反向电流的特征选择合适的肖特基二极管。图5a是快恢复PN二极管，图5b为肖基特二极管的漏电流特性。注意肖基特二极管的漏电流比硅快恢复二极管大很多。